[发明专利]一种用于无线能量传输的肖特基二极管及整流电路

说明书

本发明涉及一种用于无线能量传输的肖特基二级管及整流电路，所述肖特基二级管包括：Si衬底、第一Ge层、张应变Ge层、第二N型Ge_1‑xSn_x层、第三N型Ge_1‑xSn_x层、Al金属层和W金属层，其中，第一Ge层设置在Si衬底的表面；张应变Ge层设置在第一Ge层的表面；第二N型Ge_1‑xSn_x层设置在张应变Ge层的表面；第三N型Ge_1‑xSn_x层内嵌在第二N型Ge_1‑xSn_x层中；Al金属层设置在第三N型Ge_1‑xSn_x层的表面上；W金属层设置在第二N型Ge_1‑xSn_x层的预设肖特基接触区域内。应用本发明实施例，能够提高肖特基二极管的电子迁移率，从而提升微波无线能量传输系统的最大转换效率。

技术领域

本发明属于无线能量传输技术领域，具体涉及一种用于无线能量传输的肖特基二极管及整流电路。

背景技术

无线能量传输是将电能以无线能量的方式进行远距离传输。无线能量传输技术是一种新的能量传输方式，在太阳能电站、深空探测等领域具有广阔的应用前景。

作为无线能量传输系统的一种重要形式，微波无线能量传输系统是以微波波段的电磁波作为输入能量，使用发射天线到接收天线的点对点的传播方式。转换效率是评价微波无线能量传输系统的关键指标，标志着微波能量转换为直流能量的能力。因此，目前在微波无线能量传输领域，如何提升转换效率是研究的重点和热点。

微波无线能量传输系统整流电路内的整流二极管，即整流天线内的肖特基二极管，决定着最高转换效率的大小。研究证实，如果能够提高肖特基二极管的电子迁移率，会使肖特基二极管对高频信号响应更加及时，更适合在高频下工作，有利于提升最大转换效率。

因此，如何提高肖特基二极管的电子迁移率，以提升微波无线能量传输系统的最大转换效率，是一个亟待解决的问题。

发明内容

为了提高肖特基二极管的电子迁移率，以提升微波无线能量传输系统的最大转换效率，本发明提供了一种用于无线能量传输的肖特基二级管及整流电路。

具体地，本发明一个实施例提出的一种用于无线能量传输的肖特基二极管，包括：

Si衬底(001)、第一Ge层(002)、张应变Ge层(003)、第二N型Ge_1-xSn_x层(004)、第三N型Ge_1-xSn_x层(006)、Al金属层(007)和W金属层(009)，其中，

所述第一Ge层(002)设置在所述Si衬底(001)的表面；

所述张应变Ge层(003)设置在所述第一Ge层(002)的表面；

所述第二N型Ge_1-xSn_x层(004)设置在所述张应变Ge层(003)的表面；

所述第三N型Ge_1-xSn_x层(006)内嵌在所述第二N型Ge_1-xSn_x层(004)中；

所述Al金属层(007)设置在所述第三N型Ge_1-xSn_x层(006)的表面上；

所述W金属层(009)设置在所述第二N型Ge_1-xSn_x层(004)的预设肖特基接触区域内。