[发明专利]衬底处理装置在审
| 申请号： | 201811618910.0 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110277329A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 八幡橘;大桥直史;松井俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及衬底处理装置。本发明的课题为能够使对衬底的处理的品质(例如，成膜而得的膜的品质)良好。本发明的解决手段为提供下述技术，其具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承衬底；升降部，其使衬底支承部升降；气体供给口，其向衬底供给气体；和控制部，其以使得从气体供给口供给气体时的气体供给口与支承于衬底支承部的衬底的间隔可变的方式控制升降部的升降动作。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 衬底支承部 气体供给口 升降 衬底处理装置 供给气体 支承 方式控制 升降动作 可变的 成膜 | ||
【主权项】：
1.衬底处理装置，其具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承所述衬底；升降部，其使所述衬底支承部升降；气体供给口，其向所述衬底供给气体；和控制部，其以使得从所述气体供给口供给气体时的所述气体供给口与支承于所述衬底支承部的所述衬底的间隔可变的方式控制所述升降部的升降动作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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