[发明专利]衬底处理装置

说明书

本发明涉及衬底处理装置。本发明的课题为能够使对衬底的处理的品质(例如，成膜而得的膜的品质)良好。本发明的解决手段为提供下述技术，其具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承衬底；升降部，其使衬底支承部升降；气体供给口，其向衬底供给气体；和控制部，其以使得从气体供给口供给气体时的气体供给口与支承于衬底支承部的衬底的间隔可变的方式控制升降部的升降动作。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置。

背景技术

作为半导体器件的制造工序中使用的衬底处理装置的一个方式，例如，有如下构成的衬底处理装置：通过对晶片等衬底供给原料气体、处理气体、吹扫气体等各种气体，从而进行成膜处理等规定处理(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5872028号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明提供能够使对衬底的处理的品质(例如，成膜而得的膜的品质)良好的技术。

用于解决课题的手段

根据一个方式，提供下述技术，其具有：

处理室，其对衬底进行处理；

衬底支承部，其支承上述衬底；

升降部，其使上述衬底支承部升降；

气体供给口，其向上述衬底供给气体；和

控制部，其以使得从上述气体供给口供给气体时的上述气体供给口与支承于上述衬底支承部的上述衬底的间隔可变的方式控制上述升降部的升降动作。

发明效果

根据本发明涉及的技术，能够使对衬底的处理的品质良好。

附图说明

[图1]为示意性地示出本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置的构成例的说明图。

[图2]为示出在本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置中进行的衬底处理工序的概要的流程图。

[图3]为示出在本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置中进行的成膜工序的基本步骤的流程图。

[图4]为示出在本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置中进行的成膜工序的第一控制模式的例子的表图。

[图5]为示出在本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置中进行的成膜工序的第二控制模式的例子的表图。

[图6]为示出在本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置中进行的成膜工序的第三控制模式的例子的表图。

[图7]为示出在本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置中进行的成膜工序的第三控制模式的变形例的表图。

[图8]为示出在本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置中进行的成膜工序的第四控制模式的例子的表图。

[图9]为示意性地示出本发明的第二实施方式涉及的衬底处理装置的构成例的俯视图。

附图标记说明