[发明专利]一种薄膜晶体管器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管器件及其制备方法，属于晶体管制备技术领域。本发明的制备方法以镧锆氧薄膜为绝缘层，通过控制镧和锆的摩尔比为1:9～9:1，极大的提高了绝缘层的介电常数和电容密度，为降低薄膜晶体管器件的工作电压提供可能；同时，本发明对镧锆氧薄膜进行紫外光照射，紫外光将空气中的氧气变成臭氧，臭氧和紫外光的存在能够提高绝缘层的表面能，使绝缘层表面有机物分解，降低缺陷，使薄膜晶体管器件具有较高的迁移率；另外，紫外光的照射提高了绝缘层与有机半导体层之间的匹配性，进一步降低了器件工作电压。实施例的数据表明：本发明提供的薄膜晶体管器件的工作电压低至8V，迁移率高达1.13cm²/V·s；具有优异的综合性能。

主权项

1.一种薄膜晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在基底上旋涂镧锆溶液，经退火处理，得到基底‑镧锆氧薄膜层结构；(2)将所述步骤(1)得到的基底‑镧锆氧薄膜结构进行紫外光照射，得到基底‑修饰镧锆氧薄膜层结构；(3)在所述步骤(2)得到的基底‑修饰镧锆氧薄膜结构的修饰镧锆氧薄膜上旋涂有机半导体溶液，经烘干，得到基体‑镧锆氧薄膜层‑有机半导体层结构；(4)在所述步骤(3)得到的基体‑镧锆氧薄膜层‑有机半导体层结构的有机半导体层上热蒸镀源漏电极，得到所述薄膜晶体管器件；所述镧锆溶液中镧和锆的摩尔比为1:9～9:1。