[发明专利]一种低伏电压调整二极管制造方法

摘要

本发明公开了一种低伏电压调整二极管制造方法，涉及半导体分立器件制造技术领域，具体为，所述该低伏电压调整二极管制造方法的工艺过程为：芯片氧化，光刻隔离，隔离N+扩散，光刻P+区，注入，退火，光刻N+区，注入，退火，光刻引线孔，正面金属化，合金，减薄，背面金属化，划片。该低伏电压调整二极管制造方法，采用复合穿通工艺制备PN结，设计采用N+P+P‑N+四层结构，通过工艺控制调整两个薄基区的厚度，降低PN结击穿电压，这种结构易于集成，不但适用于单管制造，更方便制成多路ESD保护器件，这种工艺方法制成的低伏电压调整二极管器件具有反向漏电流小、动态电阻小的突出特点，极大地提升极低稳压器件的稳压性能。

主权项

1.一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述该低伏电压调整二极管制造方法的工艺过程为：芯片氧化，光刻隔离，隔离N+扩散，光刻P+区，注入，退火，光刻N+区，注入，退火，光刻引线孔，正面金属化，合金，减薄，背面金属化，划片；所述该低伏电压调整二极管制造方法的具体步骤为：（1）在N+衬底上异型外延一层高阻P—外延层；（2）在P‑外延层上制备一个P+阱区；（3）在阱区内制备N+区，形成N+P+P‑N+四层结构；（4）N+P+P‑N+四层结构在施加反向偏压时（衬底加负极），N+P+势垒耗尽层随着偏压增加，延伸扩展到衬底N+区，形成一个穿通过程，穿通后的PN结呈现雪崩状态，区别于传统低压稳压管的齐纳型隧道击穿。