[发明专利]一种低伏电压调整二极管制造方法

说明书

本发明公开了一种低伏电压调整二极管制造方法，涉及半导体分立器件制造技术领域，具体为，所述该低伏电压调整二极管制造方法的工艺过程为：芯片氧化，光刻隔离，隔离N+扩散，光刻P+区，注入，退火，光刻N+区，注入，退火，光刻引线孔，正面金属化，合金，减薄，背面金属化，划片。该低伏电压调整二极管制造方法，采用复合穿通工艺制备PN结，设计采用N+P+P‑N+四层结构，通过工艺控制调整两个薄基区的厚度，降低PN结击穿电压，这种结构易于集成，不但适用于单管制造，更方便制成多路ESD保护器件，这种工艺方法制成的低伏电压调整二极管器件具有反向漏电流小、动态电阻小的突出特点，极大地提升极低稳压器件的稳压性能。

技术领域

本发明涉及半导体分立器件制造技术领域，具体为一种低伏电压调整二极管制造方法。

背景技术

二极管是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能，早期的真空电子二极管是一种能够单向传导电流的电子器件，在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性，一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面，在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。

现在通行的电压调整二极管稳定电压最低是2.4V，更低电压的电压调整二极管则表现出动态电阻很大，原因是PN结击穿机理是齐纳击穿，这种隧道效应导致低伏电压调整二极管反向击穿特性曲线变软，动态电阻较大，因此影响其稳压使用，近年来，为降低整机的功耗，CPU设计电压低于3.3V，相应的电路电压进一步下降，传统的低压电压调整二极管，已经不能满足现代使用要求，需要开发出一款新的低伏电压调整二极管及其制造方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种低伏电压调整二极管制造方法，解决了上述背景技术中提出的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种低伏电压调整二极管制造方法，所述该低伏电压调整二极管制造方法的工艺过程为：芯片氧化，光刻隔离，隔离N+扩散，光刻P+区，注入，退火，光刻N+区，注入，退火，光刻引线孔，正面金属化，合金，减薄，背面金属化，划片；

所述该低伏电压调整二极管制造方法的具体步骤为：

（1）在N+衬底上异型外延一层高阻P-外延层；

（2）在P-外延层上制备一个P+阱区；

（3）在阱区内制备N+区，形成N+P+P-N+四层结构；

（4）N+P+P-N+四层结构在施加反向偏压时（衬底加负极），N+P+势垒耗尽层随着偏压增加，延伸扩展到衬底N+区，形成一个穿通过程，穿通后的PN结呈现雪崩状态，区别于穿通稳压管的齐纳型隧道击穿。

可选的，所述该低伏电压调整二极管制造方法采用复合穿通工艺技术，取代传统PN结齐纳击穿，制作低伏稳压管。

可选的，所述芯片采用异型外延片。

可选的，所述轻掺杂P-区，防止N+P+结发生雪崩击穿。

可选的，所述低伏电压调整二极管的制作过程中，通过工艺控制形成两个薄的基区。

可选的，所述衬底N型材料电阻率小于0.01Ω.cm，P-型轻掺杂区的掺杂浓度范围5E13cm^-3～5E16cm^-3，厚度4μm～8μm。