[发明专利]一种低伏电压调整二极管制造方法

权利要求书

1.一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述该低伏电压调整二极管制造方法的工艺过程为：芯片氧化，光刻隔离，隔离N+扩散，光刻P+区，注入，退火，光刻N+区，注入，退火，光刻引线孔，正面金属化，合金，减薄，背面金属化，划片；

所述该低伏电压调整二极管制造方法的具体步骤为：

（1）在N+衬底上异型外延一层高阻P—外延层；

（2）在P-外延层上制备一个P+阱区；

（3）在阱区内制备N+区，形成N+P+P-N+四层结构；

（4）N+P+P-N+四层结构在施加反向偏压时（衬底加负极），N+P+势垒耗尽层随着偏压增加，延伸扩展到衬底N+区，形成一个穿通过程，穿通后的PN结呈现雪崩状态，区别于传统低压稳压管的齐纳型隧道击穿。

2.根据权利要求1所述的一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述该低伏电压调整二极管制造方法采用复合穿通工艺技术，取代传统PN结齐纳击穿，制作低伏稳压管。

3.根据权利要求1所述的一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述芯片采用异型外延片。

4.根据权利要求1所述的一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述轻掺杂P-区，防止N+P+结发生雪崩击穿。

5.根据权利要求1所述的一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述低伏电压调整二极管的制作过程中，通过工艺控制形成两个薄的基区。

6.根据权利要求1所述的一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述衬底N型材料电阻率小于0.01Ω.cm，P型轻掺杂区的掺杂浓度范围5E13cm^-3～5E16cm^-3，厚度4μm～8μm。

7.根据权利要求1所述的一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述N+结表面浓度N_SN>2E19cm^-3，结深范围xj_(N+)=0.5μm～1μm；P+结表面浓度N_SP>8E16cm^-3，结深范围xj_(N+)=1μm～2μm；P-扩展区厚度范围xj_(N+)=0.5μm～1μm。

8.根据权利要求1所述的一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述该低伏电压调整二极管制造方法所制得的低伏电压调整二极管器件，采用SOT-23C型表贴封装或SOD123型塑料封装。

9.根据权利要求1所述的一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述该低伏电压调整二极管制造方法所制得的低伏电压调整二极管，最小稳定电压可达1.8V，最大电压6V，动态电阻小于100Ω，与雪崩击穿器件的动态电阻相当。