[发明专利]一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811607595.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109706525B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 许章炼;王盛;李帅鹏;苏钲雄;王洁 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B9/08 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于绝缘体材料技术领域，具体涉及一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法，S1：将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05‑0.5)：(0.05‑0.5)混合均匀，得到混合物A；S2：将混合物A在900‑1100℃下进行高温熔融，之后冷却至室温，得到铋基拓扑绝缘体材料；S3：将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨，得到铋基拓扑绝缘体材料粉末，然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散，得到铋基拓扑绝缘体二维材料。该方法通过高温玻璃熔融法以及利用低成本原料让晶体在玻璃熔融体中自然生长，实现高质量层状铋基拓扑绝缘体二元及多元体系材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 拓扑 绝缘体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铋基拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05‑0.5)：(0.05‑0.5)混合均匀，得到混合物A；S2：将混合物A在900‑1100℃下进行高温熔融，之后冷却至室温，得到铋基拓扑绝缘体材料。
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