[发明专利]一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种铋基拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05-0.5)：(0.05-0.5)混合均匀，得到混合物A；

S2：将混合物A在900-1100℃下进行高温熔融，之后冷却至室温，得到铋基拓扑绝缘体材料；

所述硫族元素单质粉末采用硒粉末或碲粉末；

所述铋源化合物粉末采用三氧化二铋粉末。

2.根据权利要求1所述的一种铋基拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于，S1中，二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:0.1：0.1。

3.根据权利要求1所述的一种铋基拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于，S2中，将混合物A从室温开始以升温速率10-30℃/min升温至900-1100℃。

4.根据权利要求1所述的一种铋基拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于，S2中，混合物A升温至900-1100℃后，保温10-120min，之后冷却至室温。

5.根据权利要求1所述的一种铋基拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于，还包括S3，将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨，得到铋基拓扑绝缘体材料粉末，然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散，得到铋基拓扑绝缘体二维材料。

6.根据权利要求5所述的一种铋基拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于，S3中，研磨时间为10-60min；超声分散时间为500-800min。