[发明专利]磁存储装置及其制造方法

摘要

实施方式主要涉及磁存储装置及其制造方法。实施方式的磁存储装置具备：下部区域；积层构造，设置在所述下部区域上，包含具有可变的磁化方向的第1磁性层、具有固定的磁化方向的第2磁性层、及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间且包含含有第1阳离子元素与第1阴离子元素的第1化合物的非磁性层；及特定材料层，设置在所述积层构造的侧面上，包含含有第2阳离子元素与第2阴离子元素的第2化合物；且所述第2阳离子元素的价数的绝对值比所述第1阳离子元素的价数的绝对值小，所述第2阴离子元素的价数的绝对值比所述第1阴离子元素的价数的绝对值小。