[发明专利]一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法在审

专利信息
申请号: 201811593575.3 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN109686818A 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 张敏敏;福克斯·斯蒂芬;任朋;陈彭;黄彪辉 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 罗满
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法,通过对单晶硅片进行清洗,得到预处理单晶硅片,清洗时间为第一时间;将所述预处理单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀,得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,其中,刻蚀时间为第二时间,所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液,且所述混合溶液中配入金属离子。本申请中先对硅片进行清洗,在单晶硅片表面形成一层液膜,再将清洗后的单晶硅片放入刻蚀液中,且刻蚀液中配有金属离子,由于液膜的存在,使刻蚀液与硅片接触部分的金属离子均匀分布在硅片表面,刻蚀第二时间后便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,不需要先沉积后刻蚀再腐蚀等复杂步骤,非常简单。
搜索关键词: 单晶硅片 刻蚀液 倒金字塔 刻蚀 金属离子 清洗 预处理 单晶硅 硅片 液膜 制备 双氧水 单晶硅片表面 混合溶液中 复杂步骤 硅片表面 混合溶液 氢氟酸 放入 沉积 申请 腐蚀
【主权项】:
1.一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法,其特征在于,包括:对单晶硅片进行清洗,得到预处理单晶硅片,清洗时间为第一时间;将所述预处理单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀,得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,其中,刻蚀时间为第二时间,所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液,且所述刻蚀液中配入金属离子。
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