[发明专利]一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法在审
申请号: | 201811593575.3 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109686818A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 张敏敏;福克斯·斯蒂芬;任朋;陈彭;黄彪辉 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法,通过对单晶硅片进行清洗,得到预处理单晶硅片,清洗时间为第一时间;将所述预处理单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀,得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,其中,刻蚀时间为第二时间,所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液,且所述混合溶液中配入金属离子。本申请中先对硅片进行清洗,在单晶硅片表面形成一层液膜,再将清洗后的单晶硅片放入刻蚀液中,且刻蚀液中配有金属离子,由于液膜的存在,使刻蚀液与硅片接触部分的金属离子均匀分布在硅片表面,刻蚀第二时间后便得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,不需要先沉积后刻蚀再腐蚀等复杂步骤,非常简单。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅片 刻蚀液 倒金字塔 刻蚀 金属离子 清洗 预处理 单晶硅 硅片 液膜 制备 双氧水 单晶硅片表面 混合溶液中 复杂步骤 硅片表面 混合溶液 氢氟酸 放入 沉积 申请 腐蚀 | ||
【主权项】:
1.一种制备单晶硅倒金字塔绒面的方法,其特征在于,包括:对单晶硅片进行清洗,得到预处理单晶硅片,清洗时间为第一时间;将所述预处理单晶硅片置于刻蚀液中进行刻蚀,得到具有倒金字塔绒面的单晶硅片,其中,刻蚀时间为第二时间,所述刻蚀液为氢氟酸与双氧水的混合溶液,且所述刻蚀液中配入金属离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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