[发明专利]一种全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法在审
| 申请号： | 201811593369.2 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109768173A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李宏;吴智鑫;叶琪;刘立旺 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣;李丹 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管的结构依次为石墨烯电极、量子点发光层、介电层、电子传输层和导电基底。制备方法包括将电子传输层、介电层、量子点发光层、石墨烯层依次喷墨打印，层层叠加，得到量子点发光二极管。除了量子点层和介电层，其余每层在喷墨打印后都要进行退火处理。本发明的全喷墨打印倒置结构量子点技术所有层均为喷墨打印，节约材料，降低成本，并且可以在柔性或非柔性导电基底上制作大面积器件，适合用于大规模工业生产。本发明将石墨烯同时作为空穴注入层与阳极，精简了量子点发光二极管的制备过程。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 喷墨打印 发光二极管 倒置结构 介电层 制备 电子传输层 导电基 发光层 石墨烯 空穴注入层 阳极 层层叠加 节约材料 量子点层 石墨烯层 退火处理 制备过程 非柔性 电极 制作 | ||
【主权项】：
1.一种全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包含如下步骤：将电子传输层、介电层、量子点发光层、空穴传输层、石墨烯层依次喷墨打印，层层叠加，得到所述的量子点发光二极管；除了量子点层和介电层，其余每层在喷墨打印后都要进行退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811593369.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
