[发明专利]一种全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法

权利要求书

1.一种全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包含如下步骤：将电子传输层、介电层、量子点发光层、空穴传输层、石墨烯层依次喷墨打印，层层叠加，得到所述的量子点发光二极管；除了量子点层和介电层，其余每层在喷墨打印后都要进行退火处理。

2.如权利要求1所述的全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，其特征在于：所述导电基底为导电玻璃、柔性导电玻璃或者PET塑料。

3.如权利要求2所述的全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，其特征在于：所述导电基底在使用前依次置于超纯水、丙酮、异丙醇中，分别超声清洗15-60min，清洗完后烘干；然后在紫外-臭氧环境下中处理5-20min。

4.如权利要求1所述的全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，其特征在于：所述电子传输层为ZnO或TiO₂，所述电子传输层喷墨打印墨水的溶剂为乙醇或者松油醇，电子传输层喷墨打印墨水的粘度为：1～10cp，浓度为4～10mg/ml，喷墨打印的电压为5～30V，退火温度160～200℃，退火时间20～40分钟，薄膜厚度为100～200nm。

5.如权利要求1所述的全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，其特征在于：所述介电层为聚甲基丙烯酸甲酯或者聚甲基丙烯酸甲酯与聚苯乙烯摩尔比为2-4:6-8的混合物，所述的介电层喷墨打印墨水的溶剂为二甲苯、丙酮或N，N-二甲基甲酰胺，介电层喷墨打印墨水的粘度为2～12cp，浓度为1～9mg/ml，喷墨打印介电层的电压为5～30V，薄膜厚度为4～10nm。

6.如权利要求1所述的全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，其特征在于：所述量子点发光层为CuInS₂/ZnS核壳结构量子点、CdSe/CdS核壳结构量子点或者CdSe/ZnS核壳结构量子点；所述量子点发光层喷墨打印墨水的溶剂为己烷、氯苯或者氯仿；且所述量子点喷墨打印墨水的浓度为10～40mg/ml，粘度为：1～10cp，喷墨打印量子点的电压为5～30V，薄膜厚度为20～60nm。

7.如权利要求1所述的全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，其特征在于：所述空穴传输层为4，4‘-二(9-咔唑)联苯、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]或者聚(9-乙烯基咔唑)，所述空穴传输层喷墨打印墨水的溶剂为氯仿、氯苯或者间二甲苯，所述空穴传输层墨水的粘度为2～10cp，浓度为2-8mg/ml，喷墨打印的电压为5～30V，退火温度120～160℃，退火时间10～30分钟，薄膜厚度为10～50nm。

8.如权利要求1所述的全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法，其特征在于：所述石墨烯层为石墨烯；所述石墨烯层喷墨打印墨水的溶剂为乙醇、水或者N,N-二甲基甲酰胺，所述石墨烯层喷墨打印墨水的粘度为1～10cp，浓度为0.1～1mg/ml，喷墨打印石墨烯的电压为5～30V，退火温度150～200℃，退火时间10～30分钟，薄膜厚度为50～100nm。