[发明专利]异质外延输出器件阵列有效
| 申请号： | 201811589044.7 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110277438B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张国飙;于鑫 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L23/00;H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 硅衬底氮化镓输出晶体管阵列含有多个小尺寸单体输出晶体管。硅衬底表面具有多重网状图形并在其上通过异质外延生长多块小尺寸单体氮化镓薄膜。每个小尺寸单体输出晶体管形成一块小尺寸单体氮化镓薄膜中。通过在生产或使用过程中禁用缺陷晶体管，可提高输出晶体管阵列的整体良品率/可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 输出 器件 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种异质外延输出器件阵列(20)，其特征在于含有：一含有一衬底材料的衬底(0S)；一通过异质外延生长在所述衬底(0S)上、含有一半导体材料的半导体薄膜(0E)，所述半导体材料的热膨胀系数和/或晶格常数不同于所述衬底材料；所述半导体薄膜(0E)含有被至少一分隔区域(60)分隔的第一、第二和第三器件区域(80)，所述第一、第二和第三器件区域(80)内的半导体薄膜(28)不同于所述分隔区域(60)内的半导体薄膜(29)；分别形成在所述第一、第二和第三器件区域(80)中的第一、第二和第三半导体输出器件(20a, 20b, 20c)，所述第一半导体输出器件(20a)为一缺陷半导体输出器件且被禁用，所述第二和第三半导体输出器件(20b, 20c)为正常半导体输出器件且相互耦合。
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