[发明专利]正入射式光电芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811587825.2 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109801985A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0232;G02B6/125;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 田俊峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光通信传输技术领域，本发明提供了一种正入射式光电芯片及其制备方法，一种正入射式光电芯片，所述芯片上开设分光孔，所述分光孔贯穿所述芯片的吸收层；所述芯片的正面上还设有吸光区和第一电极，所述第一电极位于所述吸光区的外侧；以所述芯片的正面为入光侧，入射光的一部分从所述分光孔透射分出，入射光的另一部分从所述吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换；故本发明提供的正入射式光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控；进而使用本发明提供的芯片的光路系统，无须使用光分路器进行分光，减少了系统体积，也降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 分光 光电芯片 正入射 芯片 入射光 吸光区 第一电极 吸收层 制备 光通信传输 光电转换 光分路器 光路系统 光功率 透射 分出 监控 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种正入射式光电芯片，其特征在于：所述芯片上开设分光孔，所述分光孔贯穿所述芯片的吸收层；所述芯片的正面上还设有吸光区和第一电极，所述第一电极位于所述吸光区的外侧；以所述芯片的正面为入光侧，入射光的一部分从所述分光孔透射分出，入射光的另一部分从所述吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
