[发明专利]一种半导体集成器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体集成器件及其制备方法，包括：在p型掺杂Si衬底上依次生长p型掺杂Ge层、GeSn层、n型掺杂Ge层、n型掺杂Si层、SiO2层；刻蚀形成发光区域、波导区域、探测器区域、第一间隙和第二间隙；在第一间隙和第二间隙分别淀积第一氧化层和第二氧化层；在波导区域淀积α‑Si层；在第一氧化层、第二氧化层、α‑Si层上和两侧及波导区域两侧淀积第一施力膜；在p型掺杂Ge层、探测器区域上及两侧淀积第二施力膜；在发光区域上及p型掺杂Ge层上形成第一电极；在第二施力膜上形成第二电极。本发明通过使用Si基改性Ge材料，实现发光器件、波导以及探测器的同层制备，器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。