[发明专利]一种基于CMOS制备工艺的氧化物非易失性存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于CMOS制备工艺的氧化物非易失性存储器及其制备方法，克服了现有存储器阵列与CMOS后端工艺集成的问题，通过合理设计和优化工艺流程使得材料和工艺在兼容现有CMOS后端工艺基础上，同时实现高性能、高可靠存储和电子突触特性的存储器阵列芯片。本发明有助于研究阻变存储器的阻变机理、可靠性、耐久性等等大规模制备相关的能力，对于新一代存储器以及人工神经形态器件和芯片的研究有着重要意义。

主权项

1.一种基于CMOS后端工艺制备的非易失性存储器或其阵列，包括位于传统CMOS电路层上方的上、中、下三个介质层，其中，中间介质层和下方介质层之间由金属阻挡层隔开；在下方介质层中有两类沟道，沟道内填满金属层，在金属层与沟道壁之间设有黏附层；中间介质层中有两类沟道，分别正对于下方介质层中的两类沟道，沟道内填满金属层，在金属层与沟道壁之间设有黏附层；中间介质层中的两类沟道的底部黏附层与下方介质层中沟道的金属层直接相连；上方介质层中有两类沟道，分别正对于中间介质层中的两类沟道，沟道均填满金属层，在金属层与沟道壁之间设有黏附层；上方介质层中的一类沟道的底部黏附层与位于其正下方的中间介质层沟道之间设有功能层；上方介质层中的另一类沟道的金属层与位于其正下方的中间介质层沟道的金属层直接相连。