[发明专利]半导体衬底研磨抛光中蜡回收再利用的方法有效

专利信息
申请号: 201811549877.0 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109722220B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 张泽芳;巩强 申请(专利权)人: 上海映智研磨材料有限公司
主分类号: C09J191/06 分类号: C09J191/06;C09J11/04;C09J11/06
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 张新鑫;许亦琳
地址: 201799 上海市青浦区青*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种半导体衬底研磨抛光中蜡回收再利用的方法,所述方法主要包括:去除回收蜡中的杂质以及配置新蜡。本方法通用性强,可以针对不同原料组成的回收蜡实施,成本低,回收利用率可以达到80%以上,制得新蜡可以与市购蜡具有相当的性能。
搜索关键词: 半导体 衬底 研磨 抛光 回收 再利用 方法
【主权项】:
1.一种半导体衬底研磨抛光中蜡回收再利用的方法,所述方法至少包括以下步骤:(1)去除回收蜡中的杂质:将回收获得的蜡置于容器中加热至60‑80℃,加入有机溶剂,搅拌,控制粘度为20‑50mPa·S,加入体系重量1‑5%的活性白土,搅拌,静置,对上层清液依次采用孔径大小为10‑20微米、1‑3微米的滤过装置进行过滤,过滤后获得液体为前驱体;(2)配制新蜡:在60‑80℃下将以下重量份的各个组分混合:其中有机溶剂缓慢加入,使得整个体系的粘度为10‑40mPa·S,搅拌,采用孔径为1‑3微米的过滤装置过滤,获得的清液即为新蜡。
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