[发明专利]电子器件和电子设备在审
| 申请号： | 201811544492.5 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109935573A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 萱岛祐治 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/367;H01L23/488;H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及电子器件和电子设备，用于改进电子器件的特性。该电子器件包括形成在密封体的上表面US之上的第一再分布层和形成在密封体的底表面之下的第二再分布层。第二再分布层的厚度小于第一再分布层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 再分布层 电子设备 密封体 上表面 改进 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括：密封体，具有第一上表面和位于所述第一上表面的相对侧上的第一底表面，并且在所述密封体的内部密封第一半导体芯片；第一布线，形成在所述第一上表面之上；第二布线，形成在所述第一底表面之下；贯通部分，穿过所述密封体并且电耦合所述第一布线和所述第二布线；半导体器件，安装在所述第一布线之上；所述第一半导体芯片电耦合至所述第一布线；所述第一半导体芯片电耦合至所述第二布线；所述半导体器件电耦合至所述第一布线；以及所述第二布线的厚度小于所述第一布线的厚度。
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