[发明专利]双极性晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811538573.4 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786231A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极性晶体管，包括：形成在N型外延层上的多个间隔设置的沟槽，形成在每个所述沟槽侧壁上的第一导电类型的基区，形成在所述沟槽底部的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层的上表面的第二导电类型的多晶硅层，形成在所述多晶硅层的上表面的第二绝缘层，自每个所述基区的上表面向下注入形成的第一导电类型的基极接触区，且多个所述基极接触区依次电连接，由所述多晶硅层向两侧的基区扩散而形成的第二导电类型的发射极区，形成在所述N型外延层、所述发射极区和所述第二绝缘层的上表面的介质层。本发明还公开了一种上述双极性晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 上表面 双极性晶体管 多晶硅层 基区 第一导电类型 基极接触区 导电类型 发射极区 制备 沟槽侧壁 间隔设置 电连接 介质层 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种双极性晶体管，其特征在于，包括：形成在N型外延层上的多个间隔设置的沟槽，形成在每个所述沟槽侧壁上的第一导电类型的基区，形成在所述沟槽底部的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层的上表面的第二导电类型的多晶硅层，形成在所述多晶硅层的上表面的第二绝缘层，自每个所述基区的上表面向下注入形成的第一导电类型的基极接触区，且多个所述基极接触区依次电连接，由所述多晶硅层向两侧的基区扩散而形成的第二导电类型的发射极区，形成在所述N型外延层、所述发射极区和所述第二绝缘层的上表面的介质层，穿过所述介质层与所述N型外延层电连接的集电极电极，依次穿过所述介质层和所述第二绝缘层与所述多晶硅层电连接的发射极电极，穿过所述介质层与所述基极接触区电连接的基极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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