[发明专利]选择性蚀刻的自对准通孔工艺

摘要

形成自对准通孔的方法包含使包含第一导线集合的第一金属化层凹陷，所述第一导线在基板上的第一绝缘层上沿着第一方向延伸。第二绝缘层形成在第一绝缘层上。通过第二绝缘层形成到第一导线中的一个导线的通孔。还公开了包含自对准通孔的半导体装置和用于形成自对准通孔的设备。

主权项

1.一种用于提供自对准通孔的方法，所述方法包含：在基板上的第一绝缘层上使第一导线凹陷，所述第一导线在所述第一绝缘层上沿着第一方向延伸；在所述第一绝缘层和凹陷的所述第一导线上沉积第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成硬模，所述硬模具有与所述第一导线的一个导线对准的第一开口；在所述硬模上形成光刻胶，所述光刻胶具有与所述第一开口对准的第二开口；通过所述第二开口将所述第二绝缘层部分地蚀刻到某个深度；移除所述光刻胶以使所述硬模具有所述第一开口；和通过所述第一开口蚀刻所述第二绝缘层来形成通孔。