[发明专利]选择性蚀刻的自对准通孔工艺

权利要求书

1.一种用于提供自对准通孔的方法，所述方法包含：

在基板上的第一绝缘层上使第一导线凹陷，所述第一导线在所述第一绝缘层上沿着第一方向延伸；

在沉积第二绝缘层之前在凹陷的所述第一导线和所述第一绝缘层上沉积衬垫；

在所述衬垫上沉积所述第二绝缘层；

移除所述第二绝缘层的部分以暴露所述衬垫的顶部；

在所述第二绝缘层和所述衬垫上沉积额外的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成硬模，所述硬模具有与所述第一导线的一个导线对准的第一开口；

在所述硬模上形成光刻胶，所述光刻胶具有与所述第一开口对准的第二开口；

通过所述第二开口将所述第二绝缘层部分地蚀刻到某个深度；

移除所述光刻胶以使所述硬模具有所述第一开口；和

通过所述第一开口蚀刻所述第二绝缘层来形成通孔。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述衬垫是包含氮化硅、碳氮化硅、氧化铝、氮化铝或氧化铪中的一种或多种的保形衬垫。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含在通过所述第一开口蚀刻所述第二绝缘层之后移除所述衬垫以暴露所述第一导线。

4.如权利要求3所述的方法，其中移除所述衬垫包含相对于所述第一导线选择性蚀刻所述衬垫。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述衬垫是保形膜。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述硬模包含氮化钛、碳化钨或硼碳化钨中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成所述硬模包含在所述第二绝缘层上沉积硬模材料和通过沟槽平版印刷术而图案化所述硬模来形成所述第一开口。

8.如权利要求1所述的方法，其中在所述硬模上形成所述光刻胶包含相对于所述第二绝缘层在所述硬模上选择性沉积光刻胶材料来形成所述第二开口。

9.如权利要求1所述的方法，其中在所述硬模上形成所述光刻胶包含在所述硬模和在所述第一开口中暴露的所述第二绝缘层上沉积光刻胶材料的保形层，和平版印刷图案化所述光刻胶中的所述第二开口。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包含将第二导电材料沉积到所述通孔中。

11.如权利要求10所述的方法，其中沉积所述第二导电材料包含在所述通孔中并在所述第二绝缘层的顶表面上沉积所述第二导电材料来形成所述第二导电材料的覆盖层，并且随后从所述第二绝缘层的所述顶表面移除所述第二导电材料。

12.一种形成自对准通孔的方法，所述方法包含：

提供包含第一绝缘层的基板，所述第一绝缘层具有在第一方向上延伸的多个第一导线；

使所述第一导线凹陷，使得所述第一导线的顶表面处于在所述第一绝缘层的顶表面下方的某个凹陷深度；

在凹陷的所述第一导线和所述第一绝缘层上沉积保形衬垫；

在所述第一绝缘层和凹陷的所述第一导线上的所述衬垫上沉积第二绝缘层；

移除所述第二绝缘层的部分以暴露所述保形衬垫的顶部；

在所述第二绝缘层和所述保形衬垫上沉积额外的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成硬模，所述硬模具有与所述第一导线中的一个导线对准的第一开口；

在所述硬模上形成光刻胶，所述光刻胶具有与所述第一开口对准的第二开口；

通过所述第二开口将所述第二绝缘层部分地蚀刻到某个深度；

移除所述光刻胶以使所述硬模具有所述第一开口；和

通过所述第一开口蚀刻所述第二绝缘层来暴露在凹陷的所述第一导线中的所述衬垫；和

移除所述第一导线中的所述衬垫来形成通孔。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述保形衬垫包含氮化硅、碳氮化硅、氧化铝、氮化铝或氧化铪中的一种或多种。