[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201811533059.1 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110047983B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 徐德壹;金艺瑟;金京完;禹尙沅;金智惠 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体发光元件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；透明导电层，形成在第二导电型半导体层之上；形成于发光结构上的第一电极垫和第二电极垫，分别连接到第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；第一电极延伸部和第二电极延伸部，分别从第一电极垫和第二电极垫延伸。第一电极延伸部包括：纵向延伸部，从第一电极垫沿发光结构的边缘沿纵向延伸；横向延伸部，从纵向延伸部的末端沿发光结构的边缘沿横向延伸。横向延伸部包括多个延伸部‑接触部分，使得横向延伸部与所述第一导电型半导体层接触。第二电极延伸部包括第一延伸部和第二延伸部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；透明导电层，形成在所述第二导电型半导体层之上；第一电极垫和第二电极垫，形成于所述发光结构上，且第一电极垫与第一导电型半导体层连接，第二电极垫与所述第二导电型半导体层连接；第一电极延伸部和第二电极延伸部，第一电极延伸部和第二电极延伸部分别从所述第一电极垫和第二电极垫延伸，其中，所述第一电极延伸部包括：纵向延伸部，从所述第一电极垫沿所述发光结构的边缘沿纵向延伸；横向延伸部，从所述纵向延伸部的末端沿所述发光结构的边缘沿横向延伸，其中，所述横向延伸部包括多个延伸部‑接触部分，使得所述横向延伸部与所述第一导电型半导体层接触，其中，所述第二电极延伸部包括：第一延伸部，与所述第一电极延伸部的横向延伸部相隔A1间距从所述第二电极垫延伸；第二延伸部，从所述第一延伸部的末端朝远离所述第一电极延伸部的横向延伸部的方向延伸，其中，所述第一延伸部与所述发光结构的纵向的中心区域相隔A4间距，其中，所述A1间距表示所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述第一电极延伸部的横向延伸部之间的间距，其中，所述A4间距表示所述第二电极部的第一延伸部与所述发光结构的纵向中心区域之间的间距，其中，所述A4间距小于所述A1间距。
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