[发明专利]半导体发光元件

说明书

公开了一种半导体发光元件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；透明导电层，形成在第二导电型半导体层之上；形成于发光结构上的第一电极垫和第二电极垫，分别连接到第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；第一电极延伸部和第二电极延伸部，分别从第一电极垫和第二电极垫延伸。第一电极延伸部包括：纵向延伸部，从第一电极垫沿发光结构的边缘沿纵向延伸；横向延伸部，从纵向延伸部的末端沿发光结构的边缘沿横向延伸。横向延伸部包括多个延伸部‑接触部分，使得横向延伸部与所述第一导电型半导体层接触。第二电极延伸部包括第一延伸部和第二延伸部。

本申请是申请日为2015年7月1日、申请号为201580035261.X、题为“发光元件”的专利申请的分案申请。

技术领域

本公开的示例性实施例涉及一种发光装置，并且更具体地涉及一种具有高电流扩散效率以在发光效率和可靠性方面提供良好性质的发光装置。

背景技术

通常，诸如发光二极管的发光装置包括供应电子的n型半导体层、供应空穴的p型半导体层以及插置在n型半导体层与p型半导体层之间的活性层。n型和p型电极分别形成在n型半导体层和p型半导体层上，以接收来自外部电源的电功率。

另一方面，基于氮化物半导体的p型半导体层相比n型半导体层具有较低的导电率。因此，电流不会在p型半导体层中有效地扩散，由此导致半导体层的某个区域中产生电流拥挤。当半导体层中发生电流拥挤时，发光二极管变得容易进行静电放电并且可遭遇漏电和效率降低。为了实现有效的电流扩散，诸如氧化铟锡(ITO)电极的透明电极形成在p型半导体层上且p型电极形成在ITO层上。

发明内容

【技术问题】

本公开的示例性实施例提供了一种配置成实现水平方向上的均匀电流扩散的发光装置。

本公开的示例性实施例提供了一种发光装置，其包括第二电极、透明电极以及相关地连接至彼此以改进结构和电稳定性的电流阻挡层。

本公开的示例性实施例提供了一种改进引线键合的可结合性的发光装置。

【技术方案】

根据本发明的一个方面，发光装置包括：第一导电型半导体层；台面，其设置在第一导电型半导体层上并且包括活性层以及设置在活性层上的第二导电型半导体层；电流阻挡层，其部分地设置在台面上；透明电极，其设置在台面上并且至少部分地覆盖电流阻挡层；第一电极，其与第二导电型半导体层绝缘并且包括第一电极垫和从第一电极垫延伸的第一电极延伸部分；第二电极，其设置在电流阻挡层上以电连接至透明电极并且包括第二电极垫和从第二电极垫延伸的第二电极延伸部分；以及绝缘层，其部分地设置在第一电极下方的区域中，其中台面包括至少一个沟槽，该沟槽形成在台面的侧表面上使得第一导电型半导体层通过该沟槽而部分地露出；该绝缘层包括至少部分地露出所露出的第一导电型半导体层的开口；该第一电极延伸部分包括至少一个延伸接触部分，其穿过开口接触第一导电型半导体层；以及第二电极延伸部分包括远端，该远端所具有的宽度不同于第二电极延伸部分的平均宽度。

第二电极延伸部分的远端的宽度可以大于第二电极延伸部分的平均宽度。

第二电极延伸部分的远端可以具有圆形形状，其直径大于第二电极延伸部分的宽度。

第二电极延伸部分可以包括从第二电极延伸部分的延伸方向弯曲的附加延伸部分，且该附加延伸部分可以远离第一电极延伸部分弯曲。

附加延伸部分可以形成为具有预定曲率的弧形形状。

该附加延伸部分可以朝发光装置的一个角部弯曲。

第一电极垫和第二电极垫可以设置在穿过发光结构的中心的纵向线上；第一电极垫可以设置成邻近于发光装置的第一侧表面；以及第二电极垫可以设置成邻近于发光装置的与其第一侧表面相对的第三侧表面。