[发明专利]一种低温下生长GaAs纳米线的方法在审
| 申请号： | 201811531046.0 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109801835A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张曙光;林早阳 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温下生长GaAs纳米线的方法，包括以下步骤：(1)衬底以及晶向选取；(2)对衬底表面进行清洗，除掉自然氧化层；(3)对衬底进行退火处理，除去残留在硅表面的水合物以及有机物；(4)GaAs纳米线的制备：采用分子束外延生长工艺，利用交替生长法在处理后的衬底上生长GaAs纳米线。本发明具有生长工艺简单，制备成本低，可以在低温下生长出密度高，形貌好的GaAs纳米线的优点。同时本发明制备的GaAs纳米线晶体质量好，比表面积大，没有引入异质元素杂质，具有较高的发光效率和光吸收率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 生长 衬底 制备 水合物 形貌 分子束外延 自然氧化层 衬底表面 发光效率 光吸收率 交替生长 退火处理 异质元素 硅表面 有机物 除掉 晶向 清洗 残留 引入 | ||
【主权项】：
1.一种低温下生长GaAs纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底以及晶向选取；(2)对衬底表面进行清洗，除掉自然氧化层；(3)对衬底进行退火处理，除去残留在硅表面的水合物以及有机物；(4)GaAs纳米线的制备：采用分子束外延生长工艺，利用交替生长法在处理后的衬底上生长GaAs纳米线，具体过程如下：(4‑1)Ga液滴的预沉积；(4‑2)GaAs纳米线的交替生长：预沉积步骤完成后，打开衬底挡板，并先打开Ga源的挡板数秒，再关闭Ga源挡板；间断5～10秒后再打开As源挡板数秒，随后再关闭As源挡板，整个过程中生长温度为250℃‑500℃；如此循环数十次后，同时关闭Ga源和As源的挡板，待温度降低后取出衬底，结束生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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