[发明专利]一种带体接触的半导体器件结构和形成方法

摘要

本发明公开了一种带体接触的半导体器件结构和形成方法，使用常规半导体衬底，利用背面介质层和前沟槽隔离完全包围NMOS和PMOS器件，实现器件之间完全的介质隔离；通过背面N+注入和P+注入、沟槽接触孔和背面接触孔、背面金属层之间的电学连接，实现NMOS的P阱体区接地，PMOS的N阱体区接电源，减小了体接触的串联电阻，避免了常规绝缘体上器件的浮体效应；器件中产生的热量可通过背面接触孔和背面金属层快速导出，避免了自加热效应，防止了器件性能的劣化；通过版图设计，使前沟槽隔离中的沟槽接触孔和背面接触孔实现电学连接，无需使用额外的有源区来实现接地或接电源，从而节约了版图面积，增加了器件集成的密度。

主权项

1.一种带体接触的半导体器件结构，其特征在于，包括：设于半导体衬底正面和背面的多个结构；其中，设于所述半导体衬底正面的结构包括：位于所述半导体衬底的正面上的前沟槽隔离，阱区，源漏和栅极；位于所述半导体衬底的正面表面上的后道介质层，以及位于所述后道介质层中的沟槽接触孔；其中，所述沟槽接触孔的底端贯穿所述前沟槽隔离；位于所述后道介质层的正面表面上的层间介质层，以及位于所述层间介质层中的前道金属互连层；其中，所述沟槽接触孔的顶端连接前道金属互连层；设于所述半导体衬底背面的结构包括：位于所述半导体衬底的背面上的重掺杂注入区，所述重掺杂注入区相连位于所述阱区的上方；位于所述半导体衬底的背面表面上的背面介质层，位于所述背面介质层中的第一背面接触孔和第二背面接触孔；其中，所述第一背面接触孔的底端连接所述重掺杂注入层，所述第二背面接触孔的底端连接所述沟槽接触孔的底端；以及相连位于所述第一背面接触孔和第二背面接触孔顶端上的背面金属层。