[发明专利]一种OLED显示装置及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811528739.4 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109545836B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 刘杰 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种OLED显示装置及其制作方法,所述OLED显示装置包括显示器件板、设置在所述显示器件板上的开关薄膜晶体管、发光层以及同时与所述开关薄膜晶体管和所述发光层的阳极金属层电性连接的驱动薄膜晶体管;其中,所述开关薄膜晶体管包括第一源漏金属层以及含氧化物半导体材料的第一有源层;所述驱动薄膜晶体管包括第二源漏金属层以及含低温多晶硅材料的第二有源层,所述第二源漏金属层位于所述阳极金属层的上方。在第二源漏金属层和第二有源层之间增加多层绝缘层结构,从而增加第二源漏金属层与第二有源层之间的距离,从而减小寄生电容,提高显示装置的画面质量,同时不需要做像素界定层,减少了工艺流程,降低生产成本。
搜索关键词: 一种 oled 显示装置 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种OLED显示装置,其特征在于,所述OLED显示装置包括:显示器件板,其包括基板和设置在所述基板上的多层层结构;设置在所述显示器件板上的开关薄膜晶体管、发光层以及同时与所述开关薄膜晶体管和所述发光层的阳极金属层电性连接的驱动薄膜晶体管;其中,所述开关薄膜晶体管包括第一源漏金属层以及含氧化物半导体材料的第一有源层;所述驱动薄膜晶体管包括第二源漏金属层以及含低温多晶硅材料的第二有源层,所述第二源漏金属层位于所述阳极金属层的上方;所述第二源漏金属层与所述阳极金属层之间的层结构上开设有第一过孔,所述第二源漏金属层通过所述第一过孔与所述阳极金属层电性连接。
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