[发明专利]半导体处理室有效
| 申请号： | 201811515532.3 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109994362B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 白承宰;南宫铉;李泰宗;金善政;金周妍;吹上纪明;岩崎征英;反田雄太 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体处理室。半导体处理室包括：基座，多个晶片设置在基座上；喷头结构，与基座相对并设置为与基座间隔开；多个板，与基座相对并设置为与基座间隔开；以及阻挡结构，设置在多个板之中的彼此相邻设置的板之间，其中，喷头结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离，并且阻挡结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理室，包括：基座；喷头结构；第一板；第二板；以及第一阻挡结构，设置在所述第一板与所述第二板之间，其中，所述基座包括多个晶片区，其中，所述喷头结构、所述第一板、所述第二板和所述第一阻挡结构与所述基座相对设置并与所述基座间隔开，其中，所述喷头结构与所述基座之间的距离小于所述第一板与所述基座之间的距离以及所述第二板与所述基座之间的距离，并且其中，所述第一阻挡结构与所述基座之间的距离小于所述第一板与所述基座之间的距离以及所述第二板与所述基座之间的距离。
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