[发明专利]一种功率器件制备方法及功率器件

摘要

本发明提供一种功率器件制备方法及功率器件，通过三次光刻在衬底内部形成沟槽，无需进行离子注入，降低了制造成本，PN结通过外延形成，器件的击穿电压稳定性和一致性良好，并且在侧面刻蚀形成隔离结构，横向放电面积比常规产品大，提高了器件原胞面积，该方法形成的器件具有多路双向功能，方便应用过程中对多个电路同时保护，降低了器件的应用成本。

主权项

1.一种功率器件制备方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的侧壁刻蚀形成第一横向沟槽和第二横向沟槽；在所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽内进行热氧化形成氧化硅；在所述衬底上表面刻蚀形成第三沟槽和第四沟槽，所述第三沟槽和所述第四沟槽分别与所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽内的氧化硅接触；在所述第三沟槽和所述第四沟槽内填充第二导电类型杂质分别形成第一外延层和第二外延层；在所述衬底表面制备形成介质层，所述介质层覆盖所述第三沟槽和所述第四沟槽；在所述衬底上表面和下表面制备金属层。