[发明专利]一种功率器件制备方法及功率器件在审
| 申请号： | 201811511251.0 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109755129A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率器件 制备 击穿电压稳定性 常规产品 隔离结构 双向功能 应用成本 应用过程 制造成本 面积比 放电 衬底 次光 多路 刻蚀 原胞 离子 电路 侧面 | ||
1.一种功率器件制备方法，其特征在于，包括：
提供第一导电类型的衬底；
在所述衬底的侧壁刻蚀形成第一横向沟槽和第二横向沟槽；
在所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽内进行热氧化形成氧化硅；
在所述衬底上表面刻蚀形成第三沟槽和第四沟槽，所述第三沟槽和所述第四沟槽分别与所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽内的氧化硅接触；
在所述第三沟槽和所述第四沟槽内填充第二导电类型杂质分别形成第一外延层和第二外延层；
在所述衬底表面制备形成介质层，所述介质层覆盖所述第三沟槽和所述第四沟槽；
在所述衬底上表面和下表面制备金属层。
2.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽在所述衬底内的位置左右对称。
3.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽采用干法刻蚀形成。
4.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第三沟槽和所述第四沟槽在所述衬底内的位置左右对称。
5.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第一外延层和所述第二外延层通过气相外延生长法形成。
6.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第一金属和所述第二金属采用金属溅射法淀积形成。
7.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅。
8.一种功率器件，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底；
形成于所述衬底侧壁的第一横向沟槽和第二横向沟槽，所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽内填充氧化硅；
第三沟槽和第四沟槽，所述第三沟槽和所述第四沟槽分别与所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽内的氧化硅接触；
第一外延层和第二外延层，所述第一外延层和所述第二外延层分别填充所述第三沟槽和所述第四沟槽；
介质层，所述介质层覆盖所述第三沟槽和所述第四沟槽；
第一金属和第二金属，所述第一金属和所述第二金属分别形成于所述衬底上表面和下表面。
9.根据权利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽成中心对称。
10.根据权利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述介质层为二氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
