[发明专利]一种源瓶及半导体设备有效
申请号: | 201811503125.0 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN111286720B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 王勇飞;兰云峰;王帅伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种源瓶及半导体设备,该源瓶包括:瓶身以及固定安装在所述瓶身上的瓶盖,所述瓶身与所述瓶盖可形成密闭空间,所述瓶盖上还设置有与所述密闭空间连通的进气管以及出气管,所述进气管用于向所述密闭空间通入载气,所述出气管用于向所述密闭空间外输出反应前驱体和所述载气,还包括:托盘,设置在所述密闭空间中,用于装载固态源;盖板,与所述托盘相对设置;升降装置,用于驱动所述盖板下降至遮盖所述托盘上的固态源的第一位置;或者上升至与所述托盘相分离的第二位置。通过本发明,解决了固态源蒸汽浓度不足及运输安装过程中固态源洒落的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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