[发明专利]用于使金属和阻挡层-衬垫可控凹陷的方法在审

专利信息
申请号: 201811489710.X 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN110034017A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 任河;阿米里塔·B·穆利克;瑞加娜·弗雷德;梅裕尔·奈克;乌代·米特拉 申请(专利权)人: 微材料有限责任公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/762;H01L21/768
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;吴启超
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 描述了将金属层和含金属的阻挡层蚀刻到预定深度的方法。在一些实施方案中,将所述金属层和所述含金属的阻挡层形成在基板上,所述基板具有第一电介质和形成在所述第一电介质上的第二电介质。将所述金属层和所述含金属的阻挡层形成在所述第一电介质和所述第二电介质中的特征内。在一些实施方案中,可以从电介质材料中形成的特征顺序地蚀刻所述金属层和所述含金属的阻挡层。在一些实施方案中,将在电介质材料中形成的特征的侧壁钝化以改变电介质材料的附着性质。
搜索关键词: 电介质 阻挡层 金属层 金属 电介质材料 蚀刻 基板 侧壁钝化 方法描述 特征顺序 凹陷 附着 可控
【主权项】:
1.一种处理方法,所述处理方法包括:提供基板,所述基板包含第一电介质材料和沉积在所述第一电介质材料上的第二电介质材料,所述第二电介质材料具有某一厚度,所述基板包括形成在所述第一电介质材料和所述第二电介质材料中的至少一个特征,所述至少一个特征具有至少一个侧壁和底部,所述特征的深度被限定为从所述第二电介质材料的顶表面到所述特征的所述底部,在所述至少一个侧壁和所述底部上形成阻挡层,并且在所述阻挡层上形成金属层以填充所述至少一个特征的所述深度;以及蚀刻所述金属层和所述阻挡层以将所述金属层的深度减小到凹陷深度并从所述第二电介质材料的所述侧壁去除所述阻挡层。
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