[发明专利]用于使金属和阻挡层-衬垫可控凹陷的方法在审
| 申请号: | 201811489710.X | 申请日: | 2018-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN110034017A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
| 发明(设计)人: | 任河;阿米里塔·B·穆利克;瑞加娜·弗雷德;梅裕尔·奈克;乌代·米特拉 | 申请(专利权)人: | 微材料有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
| 地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 描述了将金属层和含金属的阻挡层蚀刻到预定深度的方法。在一些实施方案中,将所述金属层和所述含金属的阻挡层形成在基板上,所述基板具有第一电介质和形成在所述第一电介质上的第二电介质。将所述金属层和所述含金属的阻挡层形成在所述第一电介质和所述第二电介质中的特征内。在一些实施方案中,可以从电介质材料中形成的特征顺序地蚀刻所述金属层和所述含金属的阻挡层。在一些实施方案中,将在电介质材料中形成的特征的侧壁钝化以改变电介质材料的附着性质。 | ||
| 搜索关键词: | 电介质 阻挡层 金属层 金属 电介质材料 蚀刻 基板 侧壁钝化 方法描述 特征顺序 凹陷 附着 可控 | ||
【主权项】:
1.一种处理方法,所述处理方法包括:提供基板,所述基板包含第一电介质材料和沉积在所述第一电介质材料上的第二电介质材料,所述第二电介质材料具有某一厚度,所述基板包括形成在所述第一电介质材料和所述第二电介质材料中的至少一个特征,所述至少一个特征具有至少一个侧壁和底部,所述特征的深度被限定为从所述第二电介质材料的顶表面到所述特征的所述底部,在所述至少一个侧壁和所述底部上形成阻挡层,并且在所述阻挡层上形成金属层以填充所述至少一个特征的所述深度;以及蚀刻所述金属层和所述阻挡层以将所述金属层的深度减小到凹陷深度并从所述第二电介质材料的所述侧壁去除所述阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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