[发明专利]用于使金属和阻挡层-衬垫可控凹陷的方法

权利要求书

1.一种处理方法，所述处理方法包括：

提供基板，所述基板包含第一电介质材料和沉积在所述第一电介质材料上的第二电介质材料，所述第二电介质材料具有某一厚度，所述基板包括形成在所述第一电介质材料和所述第二电介质材料中的至少一个特征，所述至少一个特征具有至少一个侧壁和底部，所述特征的深度被限定为从所述第二电介质材料的顶表面到所述特征的所述底部，在所述至少一个侧壁和所述底部上形成阻挡层，并且在所述阻挡层上形成金属层以填充所述至少一个特征的所述深度；以及

蚀刻所述金属层和所述阻挡层以将所述金属层的深度减小到凹陷深度并从所述第二电介质材料的所述侧壁去除所述阻挡层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电介质材料包括SiOC、多孔有机硅酸盐玻璃(p-SiCOH)、掺杂或未掺杂的硅酸盐或SiOx中的一者或多者。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电介质材料包括SiN、SiCN、SiOC、AlN、AlC、AlOx、或它们的组合中的一者或多者。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电介质材料的密度高于所述第一电介质材料的密度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层包含Co、Cu、W、Ru、Ni、Ir、Pt或Si中的一者或多者。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包含TiN。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包含具有Co或Ru衬垫的TaN，或含Mn或Al的化合物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层包含Co并且所述阻挡层包含TiN。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层包含Cu，并且所述阻挡层包含具有衬垫的TaN，所述衬垫包含Co或Ru中的一者或多者。

10.一种处理方法，所述处理方法包括：

提供基板，所述基板包含电介质材料，所述电介质材料具有形成在其上的至少一个特征，所述至少一个特征具有至少一个侧壁和底部，从所述电介质材料的表面到所述特征的所述底部的距离限定所述特征的深度；

钝化在所述特征的所述侧壁处的所述电介质材料以形成钝化的电介质层；

在所述钝化的电介质层上的所述至少一个侧壁和所述至少一个特征的所述底部上形成阻挡层；

在所述特征中沉积金属层以填充所述至少一个特征；以及

将所述金属层和所述阻挡层的一部分去除至预定深度，并从所述钝化的电介质层中去除所述阻挡层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中钝化所述电介质材料包括处理所述至少一个特征的所述侧壁，使得在所述钝化的电介质层上的所述阻挡层的附着力低于在所述电介质材料上的所述阻挡层的附着力。

12.根据权利要求10所述的方法，其中钝化在所述特征的所述侧壁处的所述电介质材料形成了梯度钝化的电介质层，使得从所述电介质材料的表面到预定深度的一部分侧壁被改性为，使得从所述钝化的电介质层去除所述阻挡层比从所述电介质材料去除所述阻挡层更容易。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述预定深度是在去除所述金属层和所述阻挡层之后所述金属层的所述预定深度。

14.根据权利要求10所述的方法，其中钝化所述电介质材料包括UV暴露或等离子体暴露中的一者多者。

15.根据权利要求14所述的方法，其中钝化所述电介质材料包括形成氮化物。