[发明专利]一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明的氧化镓(Ga2O3)半导体肖特基二极管，包括半导体层、阳极电极和阴极电极，特征在于：半导体层为Ga2O3薄膜，阳极电极为锡的氧化物(SnOx)。本发明的肖特基二极管的制作方法，包括：a).制备Ga2O3薄片；b).薄片清洗；c).Ga2O3薄片刻蚀；d).制备阴极和金属接触点层；e).退火处理；f).制备SnOx薄膜；g).制备阳极金属触点层。本发明的氧化镓半导体肖特基二极管，理想因子（为1.02）非常接近1、势垒高度为1.17 eV、开关比超过1010，所获取的肖特基二极管性能优良。本发明的肖特基二极管的制作方法，用SnOx作为肖特基接触电极，进而得到高性能的Ga2O3肖特基二极管。

主权项

1.一种氧化镓半导体肖特基二极管，包括半导体层以及设置于半导体层两侧的阳极电极和阴极电极，阳极电极与半导体层为肖特基接触，阴极电极与半导体层为欧姆接触；其特征在于：所述半导体层为Ga2O3薄膜，阳极电极为SnOx薄膜。