[发明专利]一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法

说明书

本发明的氧化镓(Gasubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;)半导体肖特基二极管，包括半导体层、阳极电极和阴极电极，特征在于：半导体层为Gasubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;薄膜，阳极电极为锡的氧化物(SnOsubgt;x/subgt;)。本发明的肖特基二极管的制作方法，包括：a).制备Gasubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;薄片；b).薄片清洗；c).Gasubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;薄片刻蚀；d).制备阴极和金属接触点层；e).退火处理；f).制备SnOsubgt;x/subgt;薄膜；g).制备阳极金属触点层。本发明的氧化镓半导体肖特基二极管，理想因子（为1.02）非常接近1、势垒高度为1.17 eV、开关比超过10supgt;10/supgt;，所获取的肖特基二极管性能优良。本发明的肖特基二极管的制作方法，用SnOsubgt;x/subgt;作为肖特基接触电极，进而得到高性能的Gasubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;肖特基二极管。

技术领域

本发明涉及一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法，更具体的说，尤其涉及一种使用锡的氧化物（SnO_x）作为肖特基阳极的氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法。

背景技术

肖特基势垒二极管（Schottky barrier diodes, SBDs）作为半导体电路中的基本元器件，在射频识别标签，太阳能电池，放大器，光探测器和逻辑门等方面有很大的应用，高性能的肖特基二极管起着至关重要的作用。高性能的肖特基二极管同样可以用于大阵列电阻式随机存取存储器和相变存储器来减小寄生电流。氧化镓（Ga₂O₃）作为一种宽带隙金属氧化物半导体，凭借着4.5-4.9 eV的宽带隙以及6-8 MV/cm 的大的击穿场强等优点成为了电子和光电子学的研究热点。大尺寸高质量的Ga₂O₃单晶可以通过常规的低成本熔融法制备，如，导模法（edge-defined film-fed growth, EFG）、提拉法、区熔法。