[发明专利]一种VCSEL芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201811474280.4 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109616871B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 田宇;韩效亚;吴真龙;杜石磊 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种VCSEL芯片及其制作方法，包括：提供样品，样品包括衬底以及位于衬底表面的外延结构层，外延结构层包括第一半导体层、MQW层、第二半导体层和第一GaAs缓冲层；对样品进行多个阶段的烘烤，并在中间的至少一个阶段中，使样品在As源气体中烘烤；采用间歇式生长方法在外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层。其中对样品进行多个阶段的烘烤，可以消除样品表面的杂质、胶等，从而可以提高后续形成的膜层的质量；而采用间歇式生长方法生长第二GaAs缓冲层，可以使得第二GaAs缓冲层具有平整的表面，进而可以提高后续形成的膜层的质量，使得VCSEL芯片具有较低的阈值电流，较高的增益以及更高的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供样品，所述样品包括衬底以及位于所述衬底表面的外延结构层，所述外延结构层包括第一半导体层、MQW层、第二半导体层和第一GaAs缓冲层；对所述样品进行多个阶段的烘烤，并在中间的至少一个阶段中，使所述样品在As源气体中烘烤；采用间歇式生长方法在所述外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811474280.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：单片集成互注入型窄线宽半导体激光器
- 下一篇：附带阻尼装置的独柱式避雷针
