[发明专利]一种VCSEL芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供样品，所述样品包括衬底以及位于所述衬底表面的外延结构层，所述外延结构层包括第一半导体层、MQW层、第二半导体层和第一GaAs缓冲层；

对所述样品进行多个阶段的烘烤，并在中间的至少一个阶段中，使所述样品在As源气体中烘烤；

采用间歇式生长方法在所述外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层；

其中，采用间歇式生长方法在所述外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层，包括：

生长第二GaAs缓冲层的阶段和停止生长第二GaAs缓冲层的阶段交替进行；

其中，生长第二GaAs缓冲层的阶段和停止生长第二GaAs缓冲层的阶段交替进行，包括：

在第二温度、第二气压和第二载气量下，通入As源和Ga源气体，进行第二GaAs缓冲层的生长；

在所述第二温度、所述第二气压和所述第二载气量下，通入As源气体，停止第二GaAs缓冲层的生长，并对所述第二GaAs缓冲层进行烘烤；

在第二温度、第二气压和第二载气量下，通入As源和Ga源气体，进行第二GaAs缓冲层的生长；

在所述第二温度、所述第二气压和所述第二载气量下，通入As源气体，停止第二GaAs缓冲层的生长，并对所述第二GaAs缓冲层进行烘烤；

在第二温度、第二气压和第二载气量下，通入As源和Ga源气体，进行第二GaAs缓冲层的生长。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述样品进行多个阶段的烘烤包括：

在第一温度、第一气压和第一载气量下，对所述样品进行第一阶段的烘烤；

在所述第一温度、所述第一气压和所述第一载气量下，通入所述As源气体，对所述样品进行第二阶段的烘烤；

在所述第一温度、所述第一气压和所述第一载气量下，停止通入所述As源气体，对所述样品进行第三阶段的烘烤。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一温度为760℃，所述第一气压为50mbar，所述第一载气量为20L，所述第一阶段的烘烤时间为3min，所述第二阶段的烘烤时间为1min，所述第三阶段的烘烤时间为3min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二温度为730℃，所述第二气压为50mbar，所述第二载气量为16L，所述第二GaAs缓冲层的生长时间为3min，所述第二GaAs缓冲层进行烘烤的时间为1min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供样品之前，还包括：

在所述衬底表面依次形成第一缓冲层、N型DBR层、第一限制层、第一波导层、MQW层、第二波导层、第二限制层、氧化层和第一GaAs缓冲层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用间歇式生长方法在所述外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层之后，还包括：

在所述第二GaAs缓冲层表面依次形成P型DBR层和P型GaAs复合帽层。

7.一种VCSEL芯片，其特征在于，采用权利要求1～6任一项所述的方法制作而成，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的外延结构层，所述外延结构层包括第一半导体层、MQW层、第二半导体层和第一GaAs缓冲层；

位于所述外延结构层表面的第二GaAs缓冲层，所述第二GaAs缓冲层是采用间歇式生长方法生长而成的，并且，在生长所述第二GaAs缓冲层之前进行了多个阶段的烘烤。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述第一半导体层包括依次位于所述衬底上的第一缓冲层、N型DBR层、第一限制层和第一波导层；所述第二半导体层包括依次位于所述MQW层上的第二波导层、第二限制层、氧化层和第一GaAs缓冲层；

还包括位于所述第二GaAs缓冲层表面的P型DBR层和P型GaAs复合帽层。