[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板，缓冲层，有源层和栅极绝缘层，所述有源层形成硅岛图案后，利用离子植入掺杂技术对无光阻保护的所述有源层侧面区域掺杂改性，将其表层变为高电阻区域，再利用化学沉积工艺制备栅极绝缘层，由于干法刻蚀形成的所述有源层侧面具有一定倾斜角度，因此在其上沉积的所述栅极绝缘层较其他位置偏薄，将所述有源层侧面区域制作成高电阻结构，避免了因所述栅极绝缘层偏薄导致的工作时边缘非故意开启形成弱沟道电流，改善边界效应，提高了所述薄膜晶体管电学可靠性。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一玻璃基板，在所述基板上依次沉积形成缓冲层和多晶硅有源层；步骤S2、在所述有源层上涂布光阻，以使得所述有源层上未被所述光阻覆盖的部分刻蚀掉；步骤S3、对所述有源层侧面掺杂改性，使其成为高电阻区域；步骤S4、在所述有源层侧面掺杂改性完成后，将掺杂改性后的有源层顶面的光阻剥离；步骤S5、在所述有源层上制备栅极绝缘层。