[发明专利]掩模对、两面曝光装置及掩模更换方法在审
申请号: | 201811451346.8 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109976086A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 名古屋淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社阿迪泰克工程 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供掩模对、两面曝光装置及掩模更换方法。即使在曝光作业位置处保留着基板的状态下,也可容易地进行更换后的掩模彼此的校准。搭载于将基板(S)的两面曝光的两面曝光装置的掩模对中的第一掩模(1)具有第一掩模标记11)与第一辅助掩模标记(12),第二掩模(2)具有第二掩模标记(21)与第二辅助掩模标记(22)。在进行掩模(1、2)彼此的校准时,在离开了基板(S)的位置处将第一辅助掩模标记(12)与第二辅助掩模标记(22)重合并用相机8)确认该状态。在进行掩模(1、2)相对于基板(S)的校准时,将第一掩模标记(11)与第二掩模标记(21)重合,用相机(8)通过基板(S)的校准开口(Sm)进行摄影。 | ||
搜索关键词: | 掩模 基板 辅助掩模 掩模标记 两面曝光装置 校准 重合 相机 作业位置 曝光 位置处 开口 并用 保留 摄影 | ||
【主权项】:
1.一种掩模对,该掩模对由搭载于将基板的两面曝光的两面曝光装置的第一掩模与第二掩模构成,其特征在于,所述第一掩模具有为了相对于所述基板进行校准而设置的第一掩模标记、以及为了相对于所述第二掩模进行校准而设置的第一辅助掩模标记,所述第二掩模具有为了相对于所述基板进行校准而设置的第二掩模标记、以及为了相对于所述第一掩模进行校准而设置的第二辅助掩模标记,所述第一掩模标记与所述第二掩模标记在所述基板的宽度方向上的分离距离为所述基板的宽度以下,所述第一辅助掩模标记与所述第二辅助掩模标记在所述基板的宽度方向上的分离距离大于所述基板的宽度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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