[发明专利]掩模对、两面曝光装置及掩模更换方法在审
申请号: | 201811451346.8 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109976086A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 名古屋淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社阿迪泰克工程 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩模 基板 辅助掩模 掩模标记 两面曝光装置 校准 重合 相机 作业位置 曝光 位置处 开口 并用 保留 摄影 | ||
1.一种掩模对,该掩模对由搭载于将基板的两面曝光的两面曝光装置的第一掩模与第二掩模构成,其特征在于,
所述第一掩模具有为了相对于所述基板进行校准而设置的第一掩模标记、以及为了相对于所述第二掩模进行校准而设置的第一辅助掩模标记,
所述第二掩模具有为了相对于所述基板进行校准而设置的第二掩模标记、以及为了相对于所述第一掩模进行校准而设置的第二辅助掩模标记,
所述第一掩模标记与所述第二掩模标记在所述基板的宽度方向上的分离距离为所述基板的宽度以下,
所述第一辅助掩模标记与所述第二辅助掩模标记在所述基板的宽度方向上的分离距离大于所述基板的宽度。
2.一种两面曝光装置,其特征在于,
具备:
输送系统,将被卷成卷的柔性的基板拉出并间歇性地进给;
权利要求1所述的掩模对,配置于夹着被进给的所述基板的位置;以及
曝光单元,在所述输送系统使所述基板停止而进行校准后,分别通过所述第一掩模、第二掩模向所述基板照射光,对所述基板的两面进行曝光,
所述基板具有相对于应曝光的区域以规定的位置关系设置的校准标记,
设置有:
相机,能够对所述第一掩模标记、所述第二掩模标记以及所述基板的所述校准标记进行摄影;
相机移动机构,使所述相机移动;以及
校准机构,利用来自于对所述第一掩模标记、所述第二掩模标记以及所述基板的所述校准标记进行了摄影的所述相机的摄影数据,将所述第一掩模、第二掩模相对于所述基板的应曝光的区域进行对位,
所述相机移动机构是如下机构:能够使所述相机在为了将所述第一掩模、第二掩模相对于所述基板校准而对所述第一掩模标记及所述第二掩模标记进行摄影的基板校准位置,以及为了将所述第一掩模、第二掩模彼此校准而对所述第一辅助掩模标记及所述第二辅助掩模标记进行摄影的掩模校准位置之间移动。
3.一种两面曝光装置,其特征在于,
具备:
输送系统,将被卷成卷的柔性的基板拉出并间歇性地进给;
权利要求1所述的掩模对,配置于夹着被进给的所述基板的位置;以及
曝光单元,在所述输送系统使所述基板停止而进行校准后,分别通过所述第一掩模、第二掩模向所述基板照射光,对所述基板的两面进行曝光,
所述基板具有相对于应曝光的区域以规定的位置关系设置的校准标记,
设置有:
相机,能够对所述第一掩模标记、所述第二掩模标记以及所述基板的所述校准标记进行摄影;以及
校准机构,利用来自于对所述第一掩模标记、所述第二掩模标记以及所述基板的所述校准标记进行了摄影的所述相机的摄影数据,将所述第一掩模、第二掩模相对于所述基板的应曝光的区域进行对位,
所述相机配置于为了将所述第一掩模、第二掩模相对于所述基板校准而对所述第一掩模标记及所述第二掩模标记进行摄影的基板校准位置,并且设置有不同于所述相机的另一相机,所述另一相机配置于为了将所述第一掩模、第二掩模彼此校准而对所述第一辅助掩模标记及所述第二辅助掩模标记进行摄影的掩模校准位置。
4.一种掩模更换方法,用于在将被卷成卷的柔性的基板拉出并间歇性地进给、并将被进给的所述基板的两面在曝光作业位置进行曝光的两面曝光装置中,对在曝光作业位置隔着所述基板而配置的一对第一掩模、第二掩模进行更换,其特征在于,
具有如下步骤:
更换步骤,以在所述曝光作业位置保留着所述基板的状态,对所述第一掩模、第二掩模的至少一个掩模进行更换;以及
掩模校准步骤,在所述更换步骤之后,以在所述曝光作业位置保留着所述基板的状态,将第一掩模、第二掩模相互对位,
所述第一掩模具有为了相对于所述基板进行校准而设置的第一掩模标记、以及为了相对于所述第二掩模进行校准而设置的第一辅助掩模标记,
所述第二掩模具有为了相对于所述基板进行校准而设置的第二掩模标记、以及为了相对于所述第一掩模进行校准而设置的第二辅助掩模标记,
所述第一掩模标记与所述第二掩模标记在所述基板的宽度方向上的分离距离为所述基板的宽度以下,
所述第一辅助掩模标记与所述第二辅助掩模标记在所述基板的宽度方向上的分离距离大于所述基板的宽度,
在所述掩模校准步骤中,在离开了所述基板的位置将所述第一辅助掩模标记与所述第二辅助掩模标记重叠,从而将所述第一掩模、第二掩模相互对位。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备