[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201811451253.5 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109545926A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;董彬忠;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、3D成核层、缓冲恢复层、N型层、多量子阱层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层；发光二极管外延片还包括设置在缓冲恢复层和N型层之间的插入层，插入层为AlN层。一方面，在GaN缓冲恢复层后插入一层AlN层，可以释放GaN缓冲恢复层内累积的压应力，提高GaN外延层的晶体质量。另一方面，AlN层可以使位错发生合并、转向或者使位错终止，阻挡底层缺陷向后延伸，提升多量子阱层的晶体质量，从而提升LED的内量子发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管外延 恢复层 缓冲 多量子阱层 插入层 衬底 位错 半导体技术领域 电子阻挡层 发光效率 向后延伸 依次层叠 成核层 缓冲层 压应力 量子 制造 阻挡 释放 合并 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、3D成核层、缓冲恢复层、N型层、多量子阱层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括插入层，所述插入层设置在所述缓冲恢复层和所述N型层之间，所述插入层为AlN层，所述缓冲恢复层为GaN层。
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