[发明专利]用于串扰缓解的接地过孔群集在审
申请号: | 201811450623.3 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN110085567A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 钱治国;K·艾京;Y·张 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的实施例针对用于集成电路(IC)组件中的串扰缓解的接地过孔群集的技术和配置。在一些实施例中,IC封装组件可以包括被配置为在管芯和第二封装基板之间对输入/输出(I/O)信号和接地进行布线的第一封装基板。第一封装基板可以包括设置在第一封装基板的一侧上的多个接触部、以及过孔的同一层的至少两个接地过孔,并且所述至少两个接地过孔可以形成与单个接触部电耦合的接地过孔的群集。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
搜索关键词: | 接地过孔 封装基板 群集 串扰 输入/输出 接地 电耦合 同一层 缓解 布线 管芯 配置 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装,包括:第一封装基板,其具有第一侧和第二侧,所述第一侧与所述第二侧相对,所述第一封装基板包括:包括半导体材料的层;所述第一封装基板的第一侧和第二侧之间的第一接地互连结构;所述第一封装基板的第一侧和第二侧之间的第二接地互连结构;所述第一封装基板的第一侧和第二侧之间的第三接地互连结构,其中所述第一接地互连结构、所述第二接地互连结构和所述第三接地互连结构延伸穿过包括所述半导体材料的所述层;以及在所述第一封装基板的第二侧上的球焊盘,所述球焊盘包括铜,其中所述第一接地互连结构、所述第二接地互连结构和所述第三接地互连结构与所述球焊盘接触;以及管芯,其耦合到所述第一封装基板的第一侧;以及第二封装基板,其耦合到所述第一封装基板的第二侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811450623.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体封装件和半导体管芯
- 下一篇:使用纳米多孔金属锁定结构的互联体