[发明专利]一种量子点发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法。量子点发光二极管包括：无机电子传输层、电子缓冲层、量子点发光层、量子点修饰层和无机空穴传输层；在无机电子传输层上侧设置电子缓冲层，在电子缓冲层上侧设置量子点发光层，在量子点发光层上侧设置量子点修饰层，在修饰层上侧设置无机空穴传输层。本发明在无机电子传输层与量子点发光层之间设置了电子缓冲层，在无机空穴传输层与量子点发光层之间量子点修饰层，既能有效的降低无机电子传输层和无机空穴传输层对量子点发光层的破坏，提高量子点发光层的发光量子产率，又能调制载流子注入效率，还能对量子点发光层的保护作用，防止器件受到氧化，提高了蓝色QLED的效率、寿命和稳定性。

主权项

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：无机电子传输层、电子缓冲层、量子点发光层、量子点修饰层和无机空穴传输层；在所述无机电子传输层上侧设置所述电子缓冲层，在所述电子缓冲层上侧设置所述量子点发光层，在所述量子点发光层上侧设置所述量子点修饰层，在所述修饰层上侧设置所述无机空穴传输层。