[发明专利]一种量子点发光二极管及制备方法在审

专利信息
申请号: 201811430395.3 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN109545996A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 申怀彬;纪文宇;李林松 申请(专利权)人: 河南大学;吉林大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 程华
地址: 475000*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 量子点 发光层 无机电子传输层 电子缓冲层 空穴传输层 修饰层 发光二极管 制备 载流子注入效率 发光量子 产率 调制
【说明书】:

发明公开一种量子点发光二极管及制备方法。量子点发光二极管包括:无机电子传输层、电子缓冲层、量子点发光层、量子点修饰层和无机空穴传输层;在无机电子传输层上侧设置电子缓冲层,在电子缓冲层上侧设置量子点发光层,在量子点发光层上侧设置量子点修饰层,在修饰层上侧设置无机空穴传输层。本发明在无机电子传输层与量子点发光层之间设置了电子缓冲层,在无机空穴传输层与量子点发光层之间量子点修饰层,既能有效的降低无机电子传输层和无机空穴传输层对量子点发光层的破坏,提高量子点发光层的发光量子产率,又能调制载流子注入效率,还能对量子点发光层的保护作用,防止器件受到氧化,提高了蓝色QLED的效率、寿命和稳定性。

技术领域

本发明涉及电子显示技术领域,特别是涉及一种量子点发光二极管及制备方法。

背景技术

基于量子点的电致发光器件(QLED)利用稳定的无机荧光量子点作为发光活性层,具有精确可调的饱和色彩等优越特性。在广色域发光器件方面的研究表明,量子点发光材料比传统的有机发光二极管(OLED)及LCD有着更为明显的优势。自1994年QLED首次报导以来,该方面的研究迅速引起人们的关注,经过多年不断进展,QLED的发光亮度及发光效率较早期已有大幅度的提高,并越来越清楚地显示了作为新一代发光显示器件的可能性。在国内外有关QLED的报道中,目前红、绿两种颜色的QLED外量子效率均超过了20%,器件寿命也超过了10万小时。然而,作为三基色缺一不可的蓝色,在亮度、效率和器件寿命方面相对于红、绿QLED仍然偏低,这成为阻碍蓝色QLED以及三基色QLED进入实际应用的主要因素。因此如何进一步提高蓝色QLED的发光效率和寿命,实现高效率、高亮度、长寿命的蓝色QLED,成为目前迫切需要解决的关键科学问题。

以往蓝色QLED器件效率和寿命低的根本原因在于:采用常规有机无机杂化QLED器件结构构筑蓝色QLED时,由于无机空穴注入层和量子点发光层之间存在相比于红色和绿色量子点更大的注入势垒,使得电子注入过剩,空穴注入不足,进而造成注入到发光层量子点的载流子不平衡,从而使得载流子复合效率低以及发光层量子点充电降低了量子产率,最终影响蓝色QLED器件的效率和寿命。

针对上述问题,如何通过一种新的器件结构,减缓电子注入速率,同时又能够对量子点发光层进行进一步修饰保护降低量子点充电引起的量子产率下降,最终获得载流子注入平衡并高效辐射复合的QLED无疑是电气技术领域迫切需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种量子点发光二极管及制备方法,以提高蓝色QLED的效率和寿命。

为实现上述目的,本发明提供了一种量子点发光二极管,所述量子点发光二极管包括:

无机电子传输层、电子缓冲层、量子点发光层、量子点修饰层和无机空穴传输层;

在所述无机电子传输层上侧设置所述电子缓冲层,在所述电子缓冲层上侧设置所述量子点发光层,在所述量子点发光层上侧设置所述量子点修饰层,在所述修饰层上侧设置所述无机空穴传输层。

可选的,所述量子点发光二极管还包括:

底电极和顶电极;在所述无机电子传输层下侧设置所述底电极,在所述无机空穴传输层上侧设置无机空穴注入层,在所述无机空穴传输层上侧设置所述顶电极。

可选的,所述量子点发光二极管还包括:

无机空穴注入层,设置在所述所述无机空穴传输层和所述顶电极之间。

可选的,所述电子缓冲层的材料为聚(9-乙烯咔唑)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚[N,N-二(4-丁基苯基)-N,N-双(苯基)联苯胺]、三(4-咔唑-9-基苯基)胺、氧化铝、氧化钙、氧化硅、氧化镓中至少一种。

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