[发明专利]一种量子点发光二极管及制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：

无机电子传输层、电子缓冲层、量子点发光层、量子点修饰层和无机空穴传输层；

在所述无机电子传输层上侧设置所述电子缓冲层，在所述电子缓冲层上侧设置所述量子点发光层，在所述量子点发光层上侧设置所述量子点修饰层，在所述修饰层上侧设置所述无机空穴传输层。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括：

底电极和顶电极；在所述无机电子传输层下侧设置所述底电极，在所述无机空穴传输层上侧设置无机空穴注入层，在所述无机空穴传输层上侧设置所述顶电极。

3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括：

无机空穴注入层，设置在所述所述无机空穴传输层和所述顶电极之间。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子缓冲层的材料为聚(9-乙烯咔唑)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚[N，N-二(4-丁基苯基)-N，N-双(苯基)联苯胺]、三(4-咔唑-9-基苯基)胺、氧化铝、氧化钙、氧化硅、氧化镓中至少一种。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点修饰层的材料为乙氧基化的聚乙烯亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯并恶唑、PFN-DOF、聚[(9,9-二(3'-(N,N-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴)]、聚乙烯亚胺、碳酸铯、氧化铝、氧化钙、氧化硅、氧化镓中至少一种。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子缓冲层的厚度为0～20nm，所述量子点修饰层的厚度为0～20nm。

7.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述无机电子传输层的材料为氧化锌、氧化钛、氧化锆、镁掺杂氧化锌、氧化锡、锂掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌，铝掺杂氧化锌中至少一种；

所述量子点发光层的材料为CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdZnSe/ZnS、CdZnSe/ZnSe、CdZnSe/ZnSe/ZnS、CdZnSeS/ZnS、CdZnSeS/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnS、ZnSeS/ZnS、CdS/ZnSe、CdS/ZnSe/ZnS、CdS/ZnS、CdZnS/ZnSInP/ZnS、InGaP/ZnS、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS、InZnP/ZnSe以及InZnP/ZnSe/ZnS核壳结构量子点中至少一种；

所述无机空穴传输层的材料为聚(9-乙烯咔唑)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚[N，N-二(4-丁基苯基)-N，N-双(苯基)联苯胺]、三(4-咔唑-9-基苯基)胺中任意一种或任意两种或任意两种以上组合；

所述无机空穴注入层的材料为氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨、氧化铜中至少一种。

8.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述无机电子传输层的厚度10～150nm，所述量子点发光层的厚度为5～80nm，所述无机空穴传输层的厚度为10～100nm，所述无机空穴注入层的厚度为1～20nm，所述顶电极的厚度为60～150nm。

9.一种量子点发光二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

对底电极依次进行清洗和紫外-臭氧处理机处理，获得干净的底电极；

在所述干净的底电极上利用沉积法获得无机电子传输层；

在所述无机电子传输层上利用沉积法获得电子缓冲层；

在所述电子缓冲层上利用沉积法获得量子点发光层；

在所述量子点发光层上利用沉积法获得量子点修饰层；

在所述量子点修饰层上利用沉积法获得无机空穴传输层；

在所述无机空穴传输层上利用沉积法获得无机空穴注入层；

在所述无机空穴注入层上进行蒸镀作为顶电极。

10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管制备方法，其特征在于，所述沉积法为旋转涂膜法或原子层沉积法。