[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本公开涉及半导体器件及其形成方法，该方法包括：在衬底上依次形成半导体器件的体区域及源区域；对源区域、体区域及衬底依次进行刻蚀处理，形成沟槽；在刻蚀后的源区域及所述沟槽的表面上形成第一多晶硅层；对第一多晶硅层进行刻蚀处理，以在沟槽的底部形成第二多晶硅层；对源区域、沟槽的侧壁进行氧化处理以形成第一栅氧化层，并对第二多晶硅层进行氧化处理以形成第二栅氧化层；在氧化处理后的沟槽中形成第三多晶硅层，以形成半导体器件的栅结构。本公开通过以上工艺流程，形成高可靠性的双栅氧结构，可以降低半导体器件多晶硅栅与外延层之间的电场以及降低多晶硅栅和半导体器件的漏极之间的寄生电容，从而提高半导体器件的可靠性。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上依次形成半导体器件的体区域及源区域；对所述源区域、所述体区域及所述衬底依次进行刻蚀处理，形成沟槽，所述沟槽包括底部及相对的侧壁；在刻蚀后的源区域及所述沟槽的表面上形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行刻蚀处理，以在所述沟槽的底部形成第二多晶硅层；对所述源区域、所述沟槽的侧壁进行氧化处理以形成第一栅氧化层，并对所述第二多晶硅层进行氧化处理以形成第二栅氧化层，其中，所述第一栅氧化层的厚度小于所述第二栅氧化层的厚度；在氧化处理后的沟槽中形成第三多晶硅层，以形成半导体器件的栅结构；其中，所述衬底的材料为SiC。