[发明专利]一种氧化硅薄膜的低温制备方法在审
| 申请号： | 201811420829.1 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109487233A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化硅薄膜的低温制备方法，在0～300℃温度范围内，以微波等离子体作为能量源，包含硅源的第一反应物与氧化性反应气体产生的氧自由基反应，形成氧化硅薄膜。在微波条件下，氧化性反应气体可以产生大量氧自由基，有助于生长高质量的薄膜；同时，由于没有偏转电场，因此大大减少了对器件表面或光刻胶的破坏。100℃下，通过微波产生的等离子体PEALD制备的SiO薄膜，在100:1的HF溶液中，其蚀刻速率为3～4A/sec，与350℃下、射频PEALD沉积的SiO薄膜的湿蚀刻速率相当。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅薄膜 薄膜 低温制备 反应气体 氧化性 等离子体 偏转 蚀刻 微波等离子体 氧自由基反应 电场 器件表面 微波产生 微波条件 氧自由基 反应物 光刻胶 能量源 湿蚀刻 硅源 射频 沉积 制备 生长 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅薄膜的低温制备方法，其特征在于，在0～300℃温度范围内，以微波等离子体作为能量源，包含硅源的第一反应物与氧化性反应气体产生的氧自由基反应，形成氧化硅薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
