[发明专利]一种氧化硅薄膜的低温制备方法

权利要求书

1.一种氧化硅薄膜的低温制备方法，其特征在于，在0～300℃温度范围内，以微波等离子体作为能量源，包含硅源的第一反应物与氧化性反应气体产生的氧自由基反应，形成氧化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的低温制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在PEALD反应腔室中，将衬底加热至设定温度；

2)以惰性气体作为运载气体，将包含硅源的第一反应物导入反应腔室中；

3)将过量的第一反应物泵出，用惰性气体吹扫；

4)将氧化性反应气体作为第二反应物通过微波发生器导入反应腔室中，并用微波等离子体处理；

5)泵出氧化性反应气体及气体副产物，用惰性气体吹扫，并以此完成PEALD沉积的一个周期；

6)重复步骤1)-5)直至达到所需的薄膜厚度。

3.根据权利要求2所述的氧化硅薄膜的低温制备方法，其特征在于，所述第一反应物为异丙胺硅烷、双(二乙基氨基)硅烷、双(叔丁基氨基)硅烷中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述的氧化硅薄膜的低温制备方法，其特征在于，所述氨基硅烷为R₀¹R₀²R₀³Si(NR₀⁴R₀⁵)、R₀¹R₀²Si(NR₀³R₀⁴)(NR₀⁵R₀⁶)、R₀¹Si(NR₀²R₀³)(NR₀⁴R₀⁵)(NR₀⁶R₀⁷)或Si(NR₀¹R₀²)(NR₀³R₀⁴)(NR₀⁵R₀⁶)(NR₀⁷R₀⁸)，其中R₀包括氢原子、直链烷基、支链烷基、烯基、炔基、环烷基、芳族烃基中的一种或多种；所述烷氧基硅烷为R₁¹R₁²R₁³Si(OR₁⁴)、R₁¹R₁²Si(OR₁³)(OR₁⁴)、R₁¹Si(OR₁²)(OR₁³)(OR₁⁴)或Si(OR₁^1-4)，其中R₁包括氢原子、直链烷基、支链烷基、烯基、炔基、环烷基、芳族烃基中的一种或多种；所述氨基烷氧基硅烷为R₂¹R₂²Si(NR₂³R₂⁴)(OR₂⁵)、R₂¹Si(NR₂²R₂³)(OR₂⁴)(OR₂⁵)、R₂¹Si(NR₂²R₂³)(NR₂⁴R₂⁵)(OR₂⁶)、Si(NR₂¹R₂²)(NR₂³R₂⁴)(NR₂⁵R₂⁶)(OR₂⁷)、Si(NR₂¹R₂²)(NR₂³R₂⁴)(OR₂⁵)(OR₂⁶)或Si(NR₂¹R₂²)(OR₂³)(OR₂⁴)(OR₂⁵),其中R₂包括氢原子、直链烷基、支链烷基、烯基、炔基、环烷基、芳族烃基中的一种或多种。