[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811393123.0 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111211170A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，其半导体衬底中形成有鳍片，所述鳍片具有沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的两端上的竖直鳍片部，所述鳍片的两个所述竖直鳍片部之间界定出沿第一方向延伸的第一沟槽，所述水平鳍片部中形成有第二源漏掺杂区，所述竖直鳍片部的顶端部中形成有第一源漏掺杂区；所述竖直鳍片部的侧壁上环绕有栅极，由此可以基于一个鳍片形成两个环栅晶体管，有利于增加栅极对沟道的控制力以及有效沟道长度，克服短沟道效应，进而有利于更小的特征尺寸和更高的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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