[发明专利]功率放大器以及化合物半导体装置有效
| 申请号： | 201811389121.4 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109818580B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 大部功;田中聪;筒井孝幸;梅本康成 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 韩聪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制耗电的功率放大器以及化合物半导体装置。功率放大器具备初级放大电路、输出级放大电路、初级偏置电路和输出级偏置电路。初级放大电路包括：第一高电子迁移率晶体管，源极与基准电位电连接，栅极被输入高频输入信号；和第一异质结双极晶体管，发射极与第一高电子迁移率晶体管的漏极电连接，基极交流地与基准电位电连接，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频信号。输出级放大电路包括第二异质结双极晶体管，该第二异质结双极晶体管的发射极与基准电位电连接，基极被输入从第一异质结双极晶体管输出的高频信号，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频输出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大器 以及 化合物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种功率放大器，具备：初级放大电路，包括：第一高电子迁移率晶体管，源极与基准电位电连接，栅极被输入高频输入信号；和第一异质结双极晶体管，发射极与所述第一高电子迁移率晶体管的漏极电连接，基极交流地与基准电位电连接，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频信号；输出级放大电路，包括：第二异质结双极晶体管，发射极与基准电位电连接，基极被输入从所述第一异质结双极晶体管输出的所述高频信号，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频输出信号；初级偏置电路，向所述第一高电子迁移率晶体管的栅极以及所述第一异质结双极晶体管的基极输出偏置电压；和输出级偏置电路，向所述第二异质结双极晶体管的基极输出偏置电压。
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